全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF 3760分析可以測量所有晶圓廠工藝中的污染，包括清潔、光刻、蝕刻、灰化、薄膜等。全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF 3760 可以使用單目標 3 光束 X 射線系統和無液氮探測器系統測量從鈉到 U 的元素。

全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF 3760 包括理學獲得專利的 XYθ 樣品臺系統、真空晶圓機器人傳輸系統和新的用戶友好型窗口軟件。所有這些都有助于提高吞吐量、更高的準確度和精度，以及簡化的日常操作。

可選的掃描TXRF軟件可以繪制晶圓表面上的污染物分布圖，以識別可以更高精度自動重新測量的“熱點”。可選的 ZEE-TXRF 功能克服了原始 TXRF 設計歷史上 15 mm 邊緣排除的問題，使測量能夠以零邊緣排除進行。

• 易于操作，分析結果快速

• 接受 200 mm 及更小的晶圓

• 緊湊的設計，占地面積

• 大功率旋轉陽極源

• 多種分析元素（Na~U）

• 輕元素靈敏度（針對鈉、鎂和鋁）

• 應用于裸硅和非硅基板

• 從缺陷檢測工具導入測量坐標以進行后續分析